一、環(huán)保要求日趨嚴(yán)格，環(huán)保行業(yè)存量市場基數(shù)較大 1、環(huán)境監(jiān)管趨嚴(yán) （1）全國污染源普查 　　第一次全國污染源普查的標(biāo)準(zhǔn)時(shí)點(diǎn)為2007年12月31日，時(shí)期為2007年度。普查對(duì)象是我國境內(nèi)排放污染物的工業(yè)污染源、農(nóng)業(yè)污染源、生活污染源和集中式污染治理設(shè)施。普查內(nèi)容包括各類污染源的基本情況、主要污染物的產(chǎn)生和排放數(shù)量、污染治理情況等。2016年10月26日，國務(wù)院印發(fā)《國務(wù)院關(guān)于開展第二次全國污染源普查的通知》（國發(fā)〔2016〕59號(hào)），決定開展第二次全國范圍內(nèi)的污染源普查。普查標(biāo)準(zhǔn)時(shí)點(diǎn)為2017年12月31日，時(shí)期為2017年度，普查對(duì)象是中國境內(nèi)有污染源的單位和個(gè)體經(jīng)營戶，加大了工業(yè)環(huán)保普查的滲透深度和廣度。 （2）中央環(huán)保督察 　　2016年1月4日，中央環(huán)保督察組正式亮相。中央環(huán)保督察組由環(huán)境保護(hù)部牽頭成立，中紀(jì)委、中組部的相關(guān)領(lǐng)導(dǎo)參加，是代表黨中央、國務(wù)院對(duì)各省（自治區(qū)、直轄市）黨委和政府及其有關(guān)部門開展的環(huán)境保護(hù)督察。2016、2017年，中央環(huán)保督察組用不到兩年時(shí)間，對(duì)全國31個(gè)?。▍^(qū)、市）存在的環(huán)境問題進(jìn)行了一次全覆蓋式的督察。 　　2018年5月25日，生態(tài)環(huán)境部全面啟動(dòng)第一批中央環(huán)保督察“回頭看”，重點(diǎn)督察各地經(jīng)黨中央、國務(wù)院審核的中央環(huán)境保護(hù)督察整改方案總體落實(shí)情況，進(jìn)一步強(qiáng)化震懾，壓實(shí)責(zé)任，倒逼落實(shí)，為打好污染防治攻堅(jiān)戰(zhàn)提供強(qiáng)大助力。隨著環(huán)保督查回頭看工作的不斷推進(jìn)，環(huán)境監(jiān)管逐步進(jìn)入常態(tài)化。2019年7月，第二輪第一批中央生態(tài)環(huán)境保護(hù)督察全部實(shí)現(xiàn)督察進(jìn)駐。 1.png （3）排污許可制度 　　排污許可制度改革是我國環(huán)境管理制度的重大變革。當(dāng)前固定污染源仍然是我國污染物排放的主要來源，實(shí)施統(tǒng)一公平、覆蓋全面的排污許可制度，是落實(shí)《生態(tài)文明體制改革總體方案》的重要改革舉措。 　　自2016年開始試點(diǎn)，到2017年全面推行，再到2018年邁出實(shí)質(zhì)性步伐，我國逐步形成了“以總量控制為目標(biāo)、多種污染物綜合管理”的現(xiàn)行排污許可制度。2016年11月，國務(wù)院辦公廳印發(fā)《控制污染物排放許可制實(shí)施方案》，明確要將排污許可建設(shè)成為固定污染源環(huán)境管理的核心制度。 　　2018年1月，《排污許可管理辦法（試行）》正式出臺(tái)，作為我國排污許可制度的第一個(gè)部門規(guī)章，規(guī)定了排污許可證核發(fā)程序等內(nèi)容，細(xì)化了環(huán)境保護(hù)部門、排污單位和第三方機(jī)構(gòu)的法律責(zé)任。 　　2019年6月，生態(tài)環(huán)境部印發(fā)《重點(diǎn)行業(yè)揮發(fā)性有機(jī)物綜合治理方案》（環(huán)大氣[2019]53號(hào)），全面實(shí)施排污許可。對(duì)已核發(fā)的涉VOCs行業(yè)，強(qiáng)化排污許可執(zhí)法監(jiān)管，確保排污單位落實(shí)持證排污、按證排污的環(huán)境管理主體責(zé)任。定期公布未按證排污單位名單。 （4）環(huán)境保護(hù)稅 　　2018年1月1日起施行的《環(huán)境保護(hù)稅法》，是落實(shí)稅收法定原則后的第一部稅法，將取代排污費(fèi)實(shí)現(xiàn)“費(fèi)改稅”?！董h(huán)境保護(hù)稅法》明確，大氣污染物、水污染物、固體廢物和噪聲被列為應(yīng)稅污染物。其中，應(yīng)稅大氣污染物包括二氧化硫、氮氧化物、一氧化碳、氯氣等。2018年3月，財(cái)政部、國家稅務(wù)總局、生態(tài)環(huán)境部聯(lián)合發(fā)出通知，對(duì)環(huán)境保護(hù)稅征收過程中的有關(guān)問題進(jìn)行了明確，包括應(yīng)稅大氣污染物和水污染物排放量的監(jiān)測計(jì)算問題、應(yīng)稅水污染物污染當(dāng)量數(shù)的計(jì)算問題、應(yīng)稅固體廢物排放量計(jì)算和納稅申報(bào)問題、以及應(yīng)稅噪聲應(yīng)納稅額的計(jì)算問題等。綜上，國家層面對(duì)于環(huán)境保護(hù)的高度重視，使得環(huán)保行業(yè)景氣度有望保持并持續(xù)提升，為環(huán)境保護(hù)專用設(shè)備制造業(yè)帶來巨大的市場空間。 2、排放標(biāo)準(zhǔn)趨嚴(yán) （1）泛半導(dǎo)體行業(yè) 　　泛半導(dǎo)體行業(yè)大氣污染物排放尚無具有行業(yè)針對(duì)性的國家標(biāo)準(zhǔn)，目前執(zhí)行的是90年代頒布的《大氣污染物綜合排放標(biāo)準(zhǔn)》（GB16297-1996）和《惡臭污染物排放標(biāo)準(zhǔn)》（GB14554-1993）等現(xiàn)行國家綜合性排放標(biāo)準(zhǔn)。由于上述規(guī)定頒布時(shí)間較早，已經(jīng)難以適應(yīng)當(dāng)前和今后我國生態(tài)環(huán)境保護(hù)工作的要求，2018年12月，生態(tài)環(huán)境部發(fā)布《惡臭污染物排放標(biāo)準(zhǔn)（征求意見稿）》及編制說明，同時(shí)，部分省市制定了一系列地方標(biāo)準(zhǔn)予以規(guī)范，例如上海市地方標(biāo)準(zhǔn)《大氣污染物綜合排放標(biāo)準(zhǔn)》（DB31-933-2015）和北京市地方標(biāo)準(zhǔn)《大氣污染物綜合排放標(biāo)準(zhǔn)》（DB11/1631-2019）。 　　針對(duì)泛半導(dǎo)體行業(yè)，行業(yè)標(biāo)準(zhǔn)陸續(xù)出臺(tái)。2006年11月，上海市環(huán)境保護(hù)局聯(lián)合上海市質(zhì)量技術(shù)監(jiān)督局發(fā)布《半導(dǎo)體行業(yè)污染物排放標(biāo)準(zhǔn)》（DB31/374-2006）。2018年3月，環(huán)境保護(hù)部聯(lián)合國家質(zhì)量監(jiān)督檢驗(yàn)檢疫總局發(fā)布《電子工業(yè)污染物排放標(biāo)準(zhǔn)（二次征求意見稿）》。 　　2019年6月13日，北京市制定并發(fā)布《電子工業(yè)大氣污染物排放標(biāo)準(zhǔn)》（DB11/1631-2019）。 　　電子工業(yè)生產(chǎn)過程中，設(shè)備或車間排氣筒排放大氣污染物濃度限值如下表所示： 圖表1：電子工業(yè)大氣污染物排放濃度限值（單位：mg/m3） 數(shù)據(jù)來源：《電子工業(yè)大氣污染物排放標(biāo)準(zhǔn)》（DB11/1631-2019）、韋伯咨詢 　　VOCs燃燒（焚燒、氧化）裝置除滿足上表規(guī)定的限值外，還需對(duì)排放煙氣中的氮氧化物、二噁英類進(jìn)行控制，限值如下表所示： 圖表2：VOCs燃燒（焚燒、氧化）裝置氮氧化物和二噁英類排放限值（單位：mg/m3） 數(shù)據(jù)來源：《電子工業(yè)大氣污染物排放標(biāo)準(zhǔn)》（DB11/1631-2019）、韋伯咨詢 （2）垃圾焚燒發(fā)電行業(yè) 《生活垃圾焚燒污染控制標(biāo)準(zhǔn)》首次發(fā)布于2000年，2001年第一次修訂，2014年第二次修訂?！渡罾贌廴究刂茦?biāo)準(zhǔn)》（GB18485-2014）規(guī)定了生活垃圾焚燒廠的選址要求、技術(shù)要求、入爐廢物要求、運(yùn)行要求、排放控制要求、監(jiān)測要求、實(shí)施與監(jiān)督等內(nèi)容。 圖表3：生活垃圾焚燒爐排放煙氣中的污染物限值（單位：mg/m3） 數(shù)據(jù)來源：《生活垃圾焚燒污染控制標(biāo)準(zhǔn)》（GB18485-2014）、韋伯咨詢整理 　　2017年8月，環(huán)境保護(hù)部辦公廳印發(fā)《關(guān)于征求<生活垃圾焚燒污染控制標(biāo)準(zhǔn)>（GB18485-2014）修改單（征求意見稿）意見的函》，擬對(duì)《生活垃圾焚燒污染控制標(biāo)準(zhǔn)》（GB18485-2014）進(jìn)行進(jìn)一步修訂。 二、下游產(chǎn)能快速擴(kuò)張，環(huán)保行業(yè)增量市場快速增長 　　下游行業(yè)的產(chǎn)能擴(kuò)張與技術(shù)進(jìn)化迭代帶動(dòng)本行業(yè)市場快速增長?，F(xiàn)選取報(bào)告期內(nèi)公司業(yè)務(wù)涉及的主要下游行業(yè)，以其投資規(guī)模及其變動(dòng)趨勢來說明環(huán)境保護(hù)專用設(shè)備制造業(yè)整體市場需求及變動(dòng)趨勢。 1、泛半導(dǎo)體行業(yè) （1）光電顯示 　　2016年11月，《“十三五”國家戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)發(fā)展規(guī)劃》（國發(fā)〔2016〕67號(hào)）指出，要“做強(qiáng)信息技術(shù)核心產(chǎn)業(yè)，提升核心基礎(chǔ)硬件供給能力”，“實(shí)現(xiàn)主動(dòng)矩陣有機(jī)發(fā)光二極管（AMOLED）、超高清（4K/8K）量子點(diǎn)液晶顯示、柔性顯示等技術(shù)國產(chǎn)化突破及規(guī)模應(yīng)用”。2017年2月，光電顯示器件（新型顯示器件）被納入《戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)重點(diǎn)產(chǎn)品和服務(wù)指導(dǎo)目錄》（2016版）。國家政策的大力支持將加速光電顯示行業(yè)產(chǎn)能擴(kuò)張。 　　自2010年起，光電顯示行業(yè)產(chǎn)能逐步由日本、韓國、中國臺(tái)灣向中國內(nèi)地轉(zhuǎn)移。LCD顯示器方面，隨著以韓國為首的海外企業(yè)在LCD高世代線投資的放緩，未來全球新增高世代線建設(shè)將以中國內(nèi)地企業(yè)為主導(dǎo)。OLED顯示器方面，中國內(nèi)地企業(yè)在OLED產(chǎn)線的投資規(guī)模及布局僅次于韓國，2017年起，國內(nèi)面板廠商開始大量投資OLED顯示器產(chǎn)線。 　　按照截至2018年12月的產(chǎn)能規(guī)劃，國內(nèi)主要面板廠商2018年至2020年OLED面板產(chǎn)線的投資規(guī)模將分別達(dá)到745億元、1,115億元和1,033億元，包括LCD在內(nèi)的面板產(chǎn)線投資規(guī)模分別將達(dá)到1,975億元、2,365億元和1,679億元2。光電顯示行業(yè)在國家政策和產(chǎn)業(yè)轉(zhuǎn)移的驅(qū)動(dòng)下，持續(xù)保持高額投入。 光電顯示行業(yè)環(huán)保投資一般占總投資（包括生產(chǎn)設(shè)備購置費(fèi)和工程建設(shè)費(fèi)）的2.5%-3%，其中廢氣處理投資占比高，超過1/3。 （2）集成電路 　　2014年6月，《國家集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展推進(jìn)綱要》指出，集成電路產(chǎn)業(yè)是信息技術(shù)產(chǎn)業(yè)的核心，是支撐經(jīng)濟(jì)社會(huì)發(fā)展和保障國家安全的戰(zhàn)略性、基礎(chǔ)性和先導(dǎo)性產(chǎn)業(yè)，當(dāng)前和今后一段時(shí)期是我國集成電路產(chǎn)業(yè)發(fā)展的重要戰(zhàn)略機(jī)遇期和攻堅(jiān)期。2014年9月，國家集成電路產(chǎn)業(yè)投資基金成立，重點(diǎn)投資集成電路芯片制造業(yè)，兼顧芯片設(shè)計(jì)、封裝測試、設(shè)備和材料等產(chǎn)業(yè)，為行業(yè)的發(fā)展提供了急需的資金支持。2017年2月，集成電路被納入《戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)重點(diǎn)產(chǎn)品和服務(wù)指導(dǎo)目錄》（2016版）。國家的強(qiáng)力支持與廣闊的市場空間將有效催化中國大陸集成電路產(chǎn)業(yè)的建設(shè)進(jìn)程。 　　近年來全球各大集成電路企業(yè)，如英特爾、三星、格羅方德、IBM、日月光、意法、飛思卡爾等已陸續(xù)在中國大陸建設(shè)工廠或代工廠，向中國轉(zhuǎn)移產(chǎn)能。中芯國際、武漢新芯、長江存儲(chǔ)、紫光存儲(chǔ)、臺(tái)積電、晉華集成、華虹半導(dǎo)體等都已在內(nèi)地多個(gè)城市布局12寸晶圓廠。內(nèi)資、外資兩大陣營紛紛加碼中國大陸，建廠投資。據(jù)國際半導(dǎo)體設(shè)備與材料產(chǎn)業(yè)協(xié)會(huì)（SEMI）報(bào)告預(yù)計(jì)，2017-2020年間全球投產(chǎn)的半導(dǎo)體晶圓廠為62座，其中26座設(shè)于中國，合計(jì)占全球總數(shù)約42%。 　　2018-2020年，中國大陸12寸、8寸晶圓廠建設(shè)投資將達(dá)7,087億元（其中內(nèi)資晶圓廠投資達(dá)5,303億元，占比75%），年均投資達(dá)2,362億元（其中內(nèi)資晶圓廠投資達(dá)1,768億元） 　　無論是從國家戰(zhàn)略、下游需求還是產(chǎn)業(yè)遷移趨勢來看，集成電路產(chǎn)業(yè)向中國大陸轉(zhuǎn)移已是大勢所趨。 　　集成電路行業(yè)環(huán)保投資一般占總投資的比例不超過5%。由于集成電路是資金密集型行業(yè)，生產(chǎn)線本身投資巨大，其在環(huán)保方面的投入往往達(dá)到上千萬甚至上億元人民幣。 2、垃圾焚燒發(fā)電行業(yè) 　　近年來，我國垃圾無害化處理結(jié)構(gòu)持續(xù)調(diào)整，逐步由填埋處理為主向焚燒為主轉(zhuǎn)變。垃圾處理行業(yè)發(fā)展初期，我國尚無成熟的垃圾焚燒發(fā)電技術(shù)，衛(wèi)生填埋憑借投資運(yùn)營成本低得到了快速發(fā)展。2006年后，垃圾焚燒發(fā)電補(bǔ)貼以及稅收優(yōu)惠等政策相繼出臺(tái)，垃圾焚燒行業(yè)快速發(fā)展，2008-2017年我國生活垃圾焚燒無害化處理能力從5.16萬噸/日增至29.81萬噸/日，復(fù)合增速達(dá)21.52%。同時(shí)隨著我國垃圾清運(yùn)量的持續(xù)快速增長，我國垃圾焚燒發(fā)電的處理能力尚存巨大缺口，存在較大的市場空間。 圖表4：生活垃圾焚燒無害化處理能力（單位：萬噸/日） 數(shù)據(jù)來源：國家統(tǒng)計(jì)局、韋伯咨詢整理 　　根據(jù)《“十三五”全國城鎮(zhèn)生活垃圾無害化處理設(shè)施建設(shè)規(guī)劃》（發(fā)改環(huán)資〔2016〕2851號(hào)），到2020年底全國城鎮(zhèn)生活垃圾焚燒處理設(shè)施能力占無害化處理總能力50%以上，其中東部地區(qū)占60%以上。“十三五”期間，全國需要建設(shè)46萬噸/日的新項(xiàng)目，按照目垃圾焚燒項(xiàng)目建設(shè)投資成本在40-50萬元/（噸/日），“十三五”期間垃圾焚燒建設(shè)市場規(guī)模約2,085億元 焚燒設(shè)施的煙氣凈化系統(tǒng)建設(shè)成本是總投資的30-50%。 三、部分下游工藝發(fā)展，技術(shù)演進(jìn)產(chǎn)生行業(yè)需求 　　泛半導(dǎo)體行業(yè)是一個(gè)技術(shù)和資金雙輪驅(qū)動(dòng)的高端制造業(yè)，受到摩爾定律的影響，行業(yè)整體呈現(xiàn)產(chǎn)品性能快速發(fā)展的態(tài)勢，背后則是生產(chǎn)工藝的發(fā)展和相關(guān)技術(shù)的進(jìn)步。 　　光電顯示行業(yè)，傳統(tǒng)LCD顯示屏幕市場增長趨于穩(wěn)定，采取新型顯示技術(shù)的OLED顯示屏幕市場預(yù)計(jì)將迎來爆發(fā)式增長。OLED相比LCD，具有厚度小、可視角度大、節(jié)能省電、響應(yīng)時(shí)間短、低溫特性好等特點(diǎn)，此外OLED顯示屏幕能夠在不同材質(zhì)的基板上制造，制成柔性屏產(chǎn)品能夠在可折疊手機(jī)、可穿戴產(chǎn)品等領(lǐng)域取得廣泛應(yīng)用，有望成為繼LCD之后的第三代主流顯示技術(shù)。 　　OLED顯示技術(shù)自發(fā)光的特點(diǎn)，決定了其相比LCD，需要在背板段工藝進(jìn)行更多輪次的成膜、光刻膠涂布、曝光、刻蝕、剝離工序，以疊加不同圖形不同材質(zhì)的膜層以形成驅(qū)動(dòng)電路，為發(fā)光器件提供點(diǎn)亮信號(hào)以及穩(wěn)定的電源輸入。背板段工藝為光電顯示行業(yè)的主要產(chǎn)污來源，工藝循環(huán)次數(shù)的增加將顯著提高工藝廢氣的排放量，相應(yīng)的增加工藝廢氣治理市場需求。 　　集成電路行業(yè)，受摩爾定律深度影響，產(chǎn)品性能和制造工藝快速發(fā)展，制程從90納米、65納米、45納米、32納米、28納米、22納米、14納米，一直發(fā)展到現(xiàn)在的10納米、7納米、5納米，行業(yè)具備制造工序多、產(chǎn)品種類多、技術(shù)換代快、投資大等特點(diǎn)。 　　薄膜沉積、光刻和刻蝕是集成電路三大核心工藝，反復(fù)循環(huán)多次。在摩爾定律的推動(dòng)下，元器件集成度的大幅提高要求集成電路線寬不斷縮小，直接導(dǎo)致集成電路制造工序愈為復(fù)雜。根據(jù)SEMI統(tǒng)計(jì)，20納米工藝所需工序約為1,000道，而10納米和7納米工藝所需工序已超過1,400道。8工序步驟的大幅增加意味著污染物排放的增加。 　　此外，隨著制程納米數(shù)的逐漸降低，直至小于光刻機(jī)的波長時(shí)，光刻制程會(huì)受到駐波效應(yīng)的限制，需要采用多重模板工藝，重復(fù)多次薄膜沉積和刻蝕工序以實(shí)現(xiàn)更小的線寬，使得薄膜沉積和刻蝕次數(shù)顯著增加。根據(jù)SEMI統(tǒng)計(jì)，20納米工藝需要的刻蝕步驟約為50次，而10納米和7納米工藝所需刻蝕步驟則超過100次。9工藝復(fù)雜程度的增加相應(yīng)地也增加了污染物的排放。 　　綜上，下游泛半導(dǎo)體行業(yè)的工藝、技術(shù)不斷發(fā)展對(duì)環(huán)境保護(hù)專用設(shè)備制造業(yè)提出了更高的要求，市場需求快速增加，帶來廣闊的市場空間。